更新時(shí)間:2025-12-24
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在光伏與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高速發(fā)展的當(dāng)下,單晶硅作為核心基礎(chǔ)材料,其制備設(shè)備的性能直接決定了材料品質(zhì)與生產(chǎn)效率。單晶硅爐(全自動(dòng)直拉單晶生長(zhǎng)爐)作為單晶硅制備的關(guān)鍵設(shè)備,需在氮?dú)?、氬氣等惰性氣體環(huán)境中,將多晶硅原料在1450℃以上高溫熔化,通過直拉法培育無錯(cuò)位單晶硅棒,廣泛應(yīng)用于集成電路、太陽能電池、光電器件等領(lǐng)域。而要實(shí)現(xiàn)爐內(nèi)氣體環(huán)境的精準(zhǔn)把控,氣體質(zhì)量流量控制器(MFC)成為了單晶硅爐穩(wěn)定運(yùn)行的核心器件,蘇州愛拓利憑借深耕流量測(cè)控領(lǐng)域的技術(shù)積淀,推出的MFC產(chǎn)品已成為單晶硅爐制造與生產(chǎn)中的關(guān)鍵配套方案。
單晶硅爐的工作環(huán)境對(duì)氣體流量控制的精度、穩(wěn)定性要求嚴(yán)苛:爐內(nèi)需維持2.6 kPa左右的真空度,氬氣等保護(hù)氣體的流量波動(dòng)會(huì)直接影響單晶硅棒的結(jié)晶質(zhì)量,甚至導(dǎo)致晶棒出現(xiàn)缺陷。傳統(tǒng)的流量測(cè)量設(shè)備易受壓力、溫度變化影響,需頻繁修正參數(shù),而蘇州愛拓利的MFC突破了這一技術(shù)瓶頸——它兼具流量測(cè)量與閉環(huán)控制功能,內(nèi)置高精度檢測(cè)電路與流量調(diào)節(jié)閥,能在氬氣壓力、環(huán)境溫度波動(dòng)時(shí),自動(dòng)跟蹤設(shè)定流量值并保持穩(wěn)定,無需額外的溫壓修正,從根本上保障了單晶硅爐內(nèi)氣體環(huán)境的一致性。
針對(duì)單晶硅爐的應(yīng)用場(chǎng)景,蘇州愛拓利定制化研發(fā)的MFC產(chǎn)品搭載了自主研發(fā)的流量傳感器和自研高精度比例閥,可靈活適配氮?dú)狻鍤?、氦氣等單晶硅爐常用惰性氣體的測(cè)控需求。產(chǎn)品的工作壓差適應(yīng)范圍覆蓋0–1 MPa,量程可在1 mL/min至200 L/min之間靈活選配,同時(shí)提供豐富的模擬信號(hào)、數(shù)字信號(hào)通訊方式,能無縫對(duì)接單晶硅爐的計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)流量數(shù)據(jù)的實(shí)時(shí)傳輸與遠(yuǎn)程調(diào)控。
在機(jī)械適配性上,蘇州愛拓利MFC的標(biāo)準(zhǔn)連接件支持雙卡套、VCR等多種接口類型,也可根據(jù)單晶硅爐設(shè)備廠商的需求定制特殊連接件,大幅降低了設(shè)備集成與后期維護(hù)的難度。除了單晶硅爐,這款MFC在物理氣相沉積(PVD)化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備中同樣表現(xiàn)優(yōu)異,憑借高溫度適應(yīng)性、高精度與高分辨率的測(cè)控能力,能精準(zhǔn)控制反應(yīng)氣體流量,助力半導(dǎo)體材料、光學(xué)元件(激光晶體、光纖等)的高純度生長(zhǎng)。
隨著光伏裝機(jī)量的持續(xù)攀升與半導(dǎo)體芯片制程的不斷升級(jí),單晶硅材料的市場(chǎng)需求迎來爆發(fā)式增長(zhǎng),單晶硅爐設(shè)備的技術(shù)升級(jí)也進(jìn)入加速期。蘇州愛拓利始終以“精準(zhǔn)測(cè)控"為核心,依托自主研發(fā)的流量傳感技術(shù)與定制化解決方案,為光伏、半導(dǎo)體領(lǐng)域的核心設(shè)備提供穩(wěn)定、可靠的氣體流量控制支持,成為單晶硅制造產(chǎn)業(yè)鏈中的技術(shù)伙伴。未來,蘇州愛拓利還將持續(xù)深耕新能源與半導(dǎo)體裝備的測(cè)控需求,推出更多適配制造場(chǎng)景的流量控制產(chǎn)品,助力國(guó)內(nèi)裝備產(chǎn)業(yè)的自主化發(fā)展。
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